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高纯电解铜的半导体级应用技术​

Jun 23rd,2025 37 浏览量

一、精密电解工艺控制

电解槽关键技术参数对比

控制指标

传统工艺

先进工艺

提升效果

电流密度

280 A/m²

340 A/m²

产能提升22%

极板间距

85 mm

68 mm

电耗降低12%

电解液温度波动

±1.2℃

±0.3℃

晶粒均匀性↑35%

砷锑杂质浓度

0.8 g/L

<0.3 g/L

纯度升至99.9997%

电解铜

二、TSV硅通孔电镀技术核心

添加剂体系作用机理

添加剂类型

浓度范围

功能机制

性能影响

聚二硫二丙烷磺酸钠

100-150 ppm

加速铜离子沉积

深宽比提升至20:1

聚乙二醇6000

70-90 ppm

抑制边缘效应

空隙率降至0.02%

健那绿B

5-10 ppm

表面微观整平

沉积速率↑至2.5μm/min

长电科技应用该技术实现150纳米通孔无缺陷填充,支持3D Chiplet封装需求。

三、再生高纯铜循环体系

电子废料提纯技术经济性

工艺环节

技术方案

产出品质

资源化效益

金属富集

等离子裂解(800℃)

铜含量92%

贵金属回收率99%

杂质脱除

真空蒸馏

Pb/Zn<0.0005%

能耗降低68%

深度提纯

区域熔炼(30次)

4N8级再生铜

铂族金属回收4.7g/t

格林美年处理15万吨电子废料,产出电解铜进入台积电供应链。