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高纯电解铜真空精炼技术
Aug 4th,2025
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半导体级提纯
- 电子束熔炼：
10⁻³Pa真空环境，1760℃表面蒸发锌镉 + 1080℃底部杂质分凝。
→ 铂族金属残留＜0.001ppb，氧含量≤0.05ppm。
- 晶格控制：
Φ300mm铜锭轴向电阻率波动＜0.03%，〈100〉晶向占比92%，满足3nm芯片沉积要求。
超导铜材极限性能
- 缺陷修复工艺：
高压雾化制粉（45μm）→ 800MPa等静压成型 → 1350℃氢气烧结12h。
→ 晶界氧浓度＜0.3ppm，位错密度从10¹⁰/cm²降至10⁷/cm²。
- 超流氦验证：
2K下剩余电阻比（RRR）＞30000，超导腔品质因数Q值达5×10¹⁰。
